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元器件采购网 > T-1019页 > FET - 阵列TPC8405(TE12L,Q,M)

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TPC8405(TE12L,Q,M)

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) Toshiba 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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TPC8405(TE12L,Q,M)参数
产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列
说明:MOSFET N/P-CH 30V SOP8 2-6J1E
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A,4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:26 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1240pF @ 10V
功率 - 最大:750mW
安装类型:表面贴装

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